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ENJ2010 IGBT便攜式半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測試儀

簡要描述:ENJ2010 IGBT便攜式半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測試儀,是一種全新的功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測試儀器,可用于額定電流在2-100A的IGBT和MOS管主要靜態(tài)參數(shù)的測試。儀器與配套電腦連接使用,通過友好人機界面操作,便于各 測試參數(shù)的組合、數(shù)據(jù)結(jié)果以表格形式呈現(xiàn),具有使用便捷、測試精度高等優(yōu)點,適合于各測試器件使用現(xiàn)場及產(chǎn)線維護場合使用。

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時間:2025-09-25
  • 訪  問  量:1700

詳細介紹

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ENJ2010 IGBT便攜式半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測試儀

系統(tǒng)概述:

IGBT作為目前主流的電力半導(dǎo)體開關(guān)器件,已廣泛應(yīng)用于電力電子相關(guān)行業(yè),一臺輕巧便攜的測試儀就顯得尤為重要。便攜式IGBT測試儀,是一種全新的功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測試儀器,可用于額定電流在2-100A的IGBT和MOS管主要靜態(tài)參數(shù)的測試。儀器與配套電腦連接使用,通過友好人機界面操作,便于各 測試參數(shù)的組合、數(shù)據(jù)結(jié)果以表格形式呈現(xiàn),具有使用便捷、測試精度高等優(yōu)點,適合于各測試器件使用現(xiàn)場及產(chǎn)線維護場合使用。

該測試系統(tǒng)具有如下特點: 

該測試系統(tǒng)是一套綜合參數(shù)測試系統(tǒng),對設(shè)備自身的抗干擾能力要求較高,因此難度比較 大; 

該測試系統(tǒng)采用自動控制,測試可按測試員設(shè)定的程序進行自動測試; 

該系統(tǒng)采用計算機記錄測試結(jié)果,并可將測試結(jié)果轉(zhuǎn)化為 EXCEL 文件進行處理。 

該測試系統(tǒng)主要由以下部分組成: 

柵極-發(fā)射極漏電流測試單元 

柵極-發(fā)射極閾值電壓測試單元 

集電極-發(fā)射極電壓測試單元 

集電極-發(fā)射極飽和電壓測試單元 

二極管壓降測試單元 

二極管反向擊穿電壓測試單元

ENJ2010 IGBT便攜式半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測試儀

測試范圍/Test range

柵極/Gate

發(fā)射極/Emitter

VGES:1-40V 分辨率/Resolving power 0.1V

IGES:0.1-10Ua 分辨率/Resolving power 0.01uA

Vce:0V

集電極/Collector

發(fā)射極/Emitter

Vces:100-3000V 分辨率/Resolving power 10V 

Ices:100uA-5mA 分辨率/Resolving power 10uA

柵極發(fā)射極閾值電壓

Grid emitter threshold voltage

Vge(th):1-10V 分辨率/Resolving power 0.1V

集電極Collector/發(fā)射極Emitter

飽和電壓/Saturation voltage 

VCE(sat):0.2-5V 分辨率/Resolving power 0.01V

ICE:10-100A 分辨率/Resolving power 1A

二極管/Diode 

壓降/Pressure drop 

VF:0.01-5V 分辨率/Resolving power 0.01V

IF:1-100A 分辨率/Resolving power 1A

Vge:0V

二極管反向最大/Diode reversal maximum

可恢復(fù)直流電壓/Recover dc voltage 

Vces:100-3000V 分辨率/Resolving power 10V

Ices:100uA-5mA 分辨率/Resolving power 10uA

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